Elektrod-serv.ru

Передача данных по радиоканалу

Разработка физической структуры кристалла и технологического маршлута изготовления ИМС

Основные электрические пареметры элементов разработанной ИМС приведены в таблице 4.2.

Таблица 4.2 - Электрические параметры элементов

Элементы

Параметры

Нижний предел

Типовое

Верхний предел

NPN транзистор

Sэм= 9´9 мкм2

Коэффициент усиления Iк=10мкA

100

150

200

Напряжение пробоя К-Э Iк=100 мкA

20 В

30

Напряжение пробоя Э-Б Iэ=10мкA

6,2* В

6.5* В

6.8*В

Прямое напряжение Э-Б Iэ=50мкA

0,7 В

0.75 В

0.8 В

Напряжение пробоя К-Б Iк=10 мкA

40 В

60

Напряжение пробоя К-П I=10 мкA

30 В

PNP транзистор латеральный

Коэффициент усиления Iк=100мкA Uкэ=5В

30

Напряжение пробоя К-Э Iк=10мкA

40 В*

Резисторы на базовом слое

Поверхностное сопротивление

180Ом/кв

200 Ом/кв

220 Ом/кв

Резисторы на резисторном слое

Поверхностное сопротивление

700*

Ом/кв

1000* Ом/кв

1300* Ом/кв

Перейти на страницу: 1 2 

Советуем почитать:

Прием, обработка, выдача Экспресс и ЕМS почтовых отправлений Не секрет, что в наш скоростной век, экономия времени является главной задачей, особенно для делового человека. Что бы облегчить участь бизнесменов многие компании, предоставляющие услуг ...

Проектирование цифрового регулятора для электропривода с фазовой синхронизацией Разработка новых эффективных технологических процессов, различных машин и приборов непосредственно связана с повышением требований к лежащим в их основе электроприводам по точности, быст ...

Проект компьютерной сети для коммерческого предприятия НордСофт Вхождение России в мировое информационное пространство влечет за собой широчайшее использование новейших информационных технологий, и в первую очередь, компьютерных сетей. При этом резк ...